SK Hynix 完成 375 層 NAND 驗證，鉬在半導體製造中取代鎢

作者：Ada，深潮 TechFlow

根據行業研究機構 TrendForce 的消息，海力士已完成 375 層 NAND 的設計驗證，量產計劃將於 2026 年底啟動，公司將轉換現有產能進行投產。海力士 375 層 NAND 的驗證完成，將一個醞釀多年的產業轉折點推到了台前，芯片中使用了近四分之一世紀的鎢，正被鉬取代。這場材料替代的真正贏家不在存儲廠，反而在賣設備和賣耗材的上游。

值得注意的是，首家在金屬布線中引入鉬的是三星，而非海力士。三星早在其 286 層第九代 NAND 上便已採用鉬，該產品於 2024 年 4 月量產，目前正將鉬的使用擴展至更多製程步驟。海力士此次是其產品線中首次使用鉬，在行業中屬於追趕，而非首創。

這款 375 層產品本身也經歷過一次向下調整。據 TheElec 報導，海力士原本目標為 400 層，但因高層堆疊的製造複雜度，最終下修至 375 層。即便如此，它仍是海力士 NAND 路線圖上的關鍵一步，更遠期的 480 層與 604 層產品被認為將更徹底地依賴鉬。

鉬替代鎢雖然並非存儲獨有，卻帶來了一場行業級拐點。據報導，鎢作為互連金屬在 NAND、DRAM 及邏輯/代工的中段工藝中沿用了近 25 年，但縮放要求如今正在突破鎢的邊界，鉬成為最被看好的替代候選。

鉬的優勢不僅限於低電阻。與鎢和銅不同，鉬無需阻擋層即可防止擴散，省去工序，提升良率；其高熔點與抗氧化特性支持直接沉積，更適配 3D NAND 與邏輯端的 GAA（全環繞柵極）等高深寬比結構。換言之，層數越往上堆、節點越往下走，鎢越吃力，鉬的滲透空間越大。這正是「賣鏟人」邏輯成立的根基，替代一旦鋪開，受益的是提供工具與材料的環節。

在這條線中，最直接、敘事最堅實的是 Lam Research（LRCX）。其於 2025 年 2 月推出的 ALTUS Halo，被公司稱為業界首款將鉬用於量產的原子層沉積（ALD）設備，在大多數情況下，電阻較傳統鎢金屬化改善超過 50%。Lam 方面披露，早期採用已在韓國與新加坡的高產能 3D NAND 工廠及先進邏輯工廠展開，韓國對應三星與海力士，新加坡對應美光。

業務的彈性蘊藏於工序的複雜化之中。根據 Zacks 研究，Lam 目前是唯一一家已將 ALD 鈷工具投入量產的供應商，服務於代工與 NAND 客戶；儘管鈷沉積更慢、更複雜，卻能使 Lam 在這些先進節點上的單晶圓金屬沉積可服務市場（SAM）擴大三倍。工序越難，對設備商反而越有利。

應用材料（AMAT）走的是另一條路徑。今年 2 月，它推出了 Spectral ALD 系統，用鉬取代當今晶體管接觸中的鎢，在晶體管與銅佈線網絡之間這一關鍵連接處降低電阻，目前已被多家領先邏輯代工廠採用。需要區分的是，Lam 的鉬故事偏向 NAND/DRAM 字線，AMAT 的鉬故事偏向 2nm GAA 邏輯接觸，兩者下游不同，不能並作同一受益邏輯。

材料端的代表為 Entegris（ENTG）。该公司供應鉬的固態前驅體二氯二氧化鉬（MoO₂Cl₂），專為 DRAM 與 3D NAND 定製，並配套 ProE-Vap 傳送系統。其邏輯在於材料切換的連鎖效應。據 Entegris 表示，從銅和鎢轉向鉬這一項變化將波及前驅體選擇、拋光墊設計、研磨液配方、蝕刻材料與過濾等多個環節，工藝更分散，但貫穿多道工序。

至於存儲廠本身，三星與海力士均不在美股主板，美光（MU）是美股中唯一的純正存儲標的，且在鉬上搶了身位。Lam 引用美光 NAND 開發副總裁 Mark Kiehlbauch 的說法，稱鉬金屬化讓美光在最新一代 NAND 產品上率先實現業界領先的 I/O 帶寬與存儲容量。不過，美光是「用鉬的人」而非「賣鉬受益的人」，其股價驅動主要仍是存儲週期與 HBM，鉬只是性能加分項。

理論上，鉬金屬礦商也算這條敘事的邊緣受益者，美股可對應以鉬為銅礦副產品的 Freeport-McMoRan（FCX）。但半導體的鉬用量級實在太小。據 TheElec 及行業估算，三星去年採購約 4 噸鉬，今年約 10 噸，海力士起步約 4 噸，全行業到 2030 年預計也僅 80 噸級別。相對於以鋼鐵合金為主，年消耗以數十萬噸計的全球鉬市場，半導體需求只是零頭。把礦商股價掛到 NAND 叙事上，是站不住的因果。

這也鎖定了「鎢退鉬進」故事的真正落點，海力士 375 層只是起點，真正的射程橫跨 NAND、DRAM 與材料三大品類。在這場金屬換代裡，賣工具和賣耗材的環節確定性更高，使用鉬的存儲廠是性能受益方而非估值受益方，金屬端則基本沾不上光。

聲明：本文不構成任何投資建議